MACOM
- 描述
- 9.5 pF,低电压/高损耗硅超突变结,变容二极管
- 电容
- 9.5 pF
- 前向连续电流
- 50 mA
- 峰值反向电压
- 12 V
- 封装类型
- 表贴
MACOM
- 描述
- 10 pF,低电压/高损耗硅超突变结,变容二极管
- 电容
- 10 pF
- 前向连续电流
- 50 mA
- 峰值反向电压
- 12 V
- 封装类型
- 表贴
MACOM
- 描述
- 2.2 pF,低电压/高损耗硅超突变结,变容二极管
- 电容
- 2.2 pF
- 前向连续电流
- 50 mA
- 峰值反向电压
- 12 V
- 封装类型
- 表贴
Infineon Technologies
- 描述
- 18.3 pF (CT1),12.35 pF(CT2),变容二极管
- 电容
- 18.3 pF (CT1),12.35 pF(CT2)
- 前向连续电流
- 20.0 mA
- 峰值反向电压
- 10 V
- 封装类型
- 表贴
Skyworks
- 描述
- 超突变结,变容二极管
- 电容
- 22.9 pF@Vr=1 V,6.9 pF@Vr=4 V,@Vr=10 V
- 前向连续电流
- 20 mA
- 封装类型
- 表贴
Skyworks
- 描述
- 超突变结,变容二极管
- 电容
- 12.33 pF@Vr=1 V,1.71 pF@Vr=4 V,1.3 pF@Vr=10 V
- 前向连续电流
- 20 mA
- 封装类型
- 表贴
Infineon Technologies
- 描述
- 47.5 pF (CT1),27.9 pF(CT2),变容二极管
- 电容
- 47.5 pF (CT1),27.9 pF(CT2)
- 前向连续电流
- 50.0 mA
- 峰值反向电压
- 18 V
- 封装类型
- 表贴
MACOM
- 描述
- 4.7 pF,低电压/高损耗硅超突变结,变容二极管
- 电容
- 4.7 pF
- 前向连续电流
- 50 mA
- 峰值反向电压
- 12 V
- 封装类型
- 表贴